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    碳化硅磚產品在結晶過程中，用物相反襯式顯微鏡對工業爐制取SiC粗單晶表面進行觀察，發現許多螺旋狀生成物。
     采用復射線干涉儀方法測定了6H-a結晶上的螺旋狀生成物螺距的高度，并證明其高度等于該變體原晶格的參數。根據這些結果可以得出結論：碳化硅磚中產生各類型變體的原因，可能是由于在不同螺旋狀錯動層周圍生成螺旋狀生成物的緣故。
     據推測，當氣相或熔體極大地過飽和時，表面顆粒聚集后將生成片狀晶芽，由于雜質分布不均及熱交換不均勻，其中的內應力有所增加。這些因素導致片狀晶芽收到壓縮，直至產生塑性變形。如果均勻變形驟然停止，則產生螺旋狀錯動，在晶體表面形成螺旋梯段。進一步得到發育的晶體要將具有螺旋狀梯段結構，該梯段復現周期相當于螺旋狀錯動的螺距。因此，不同的螺旋狀錯動導致生成各類型變體。